Memoria Ram 16GB DDR4 Kingston 3200

•Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
•VDDQ = 1,2 V típico
•VPP = 2,5 V típico
•VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
•Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
•Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
•Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
vGeneración y calibración de VREFDQ en la matriz
•Rango doble
•EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 incorporada
•16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
•Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)